Toshiba Memory prezintă XL-FLASH, soluția de memorie de tip stocare

Toshiba Memory Europe TME a anunțat astăzi lansarea noii soluții de memorie de clasă de stocare SCM , XL-FLASH™. Bazat pe tehnologia inovatoare de 1 bit pe celulă SLC BiCS FLASH™ 3D flash BiCS FLASH™ de la TME, acesta oferă latența redusă și performanța ridicată cerute de centrele de date și depozitele de date ale întreprinderilor.

XL-FLASH, o soluție de stocare sau o soluție de memorie non-volatilă, este capabilă să stocheze conținut similar cu memoria flash NAND și să acopere diferența de performanță dintre tipurile de memorie DRAM și NAND. Memoria cu consum mare consum de energie, inclusiv DRAM, oferă viteza de acces pentru aplicațiile solicitante, dar această performanță este costisitoare. Atunci când costul per bit al DRAM devine prea mare și scalabilitatea este compromisă, nivelul SCM din ierarhia de stocare rezolvă această problemă prin furnizarea unei soluții rentabile sub forma unei memorii flash NAND non-volatile de înaltă densitate. Firma de analiză IDC prezice că piața SCM se va extinde la peste 3 miliarde de dolari în 2023[1].

În nișa dintre DRAM și NAND flash, XL-FLASH oferă o viteză mai mare, o latență mai mică și o capacitate de stocare mai mare la un cost mai mic decât DRAM-ul tradițional. XL-FLASH va fi disponibil inițial în format SSD, dar poate fi implementat ulterior în dispozitive conectate la canale DRAM, cum ar fi modulele de memorie non-volatilă dual in-line NVDIMM , care vor deveni standardul industriei în viitor.

Caracteristici principale:

– Cristal de 128 gigabiți GB modul de 2, 4 sau 8 cristale ;

– Dimensiunea paginii 4K pentru a îmbunătăți eficiența citirii și scrierii în sistemul de operare;

– Arhitectură cu 16 secțiuni pentru o funcționare paralelă mai eficientă;

– Timpuri reduse de citire și programare a paginilor: Memoria XL-FLASH prezintă o latență de citire redusă, mai mică de 5 microsecunde, de aproximativ 10 ori mai rapidă decât memoria TLC existentă.

În calitate de creator al tehnologiei NAND flash, prima companie care a introdus tehnologia 3D flash și lider în domeniul schimbărilor de proces, Toshiba Memory este cea mai bine plasată pentru a furniza produse de memorie SLC bazate pe SCM, cu infrastructura sa de producție matură, scalabilitatea și fiabilitatea dovedite ale produselor de memorie SLC.

„XL-FLASH este cea mai performantă soluție NAND disponibilă în prezent, datorită memoriei noastre flash BiCS FLASH care funcționează în modul SLC”, a declarat Axel Stoermann, vicepreședinte al Toshiba Memory Europe. – Prin plasarea unui singur bit pe celulă, am reușit să creștem dramatic performanța. Și pentru că memoria XL-FLASH se bazează pe tehnologii dovedite care sunt deja în producție de masă, prin aplicarea XL-FLASH ca soluție de memorie de stocare, clienții noștri vor putea reduce timpul de lansare pe piață.”.

Probele demo vor începe să fie livrate în septembrie 2023., cu o producție de volum programată să înceapă în 2023.